半導(dǎo)體硅晶片用測(cè)厚儀OZUMA22

產(chǎn)品型號(hào)：

所屬分類：超聲波測(cè)厚儀

產(chǎn)品時(shí)間：2024-09-11

簡(jiǎn)要描述：日本sasaki koki半導(dǎo)體硅晶片用測(cè)厚儀OZUMA22
半導(dǎo)體（各種材料）的晶片硅Si.GaAs砷化鎵等，玻璃，金屬，化合物等的高精度非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）

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日本sasaki koki半導(dǎo)體硅晶片用測(cè)厚儀OZUMA22

<用途>

半導(dǎo)體（各種材料）的晶片硅Si.GaAs砷化鎵等，玻璃，金屬，化合物等的高精度非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）

<功能>

1. 1。可以通過(guò)空氣背壓法進(jìn)行非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量），并且不會(huì)造成刮擦和污染等損壞
?？梢暂p松進(jìn)行高精度的非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量），而無(wú)需依賴諸如薄膜和彩色光澤之類的材料
。潮濕時(shí)可以進(jìn)行高精度的非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）
。即使鏡面透明或半透明，也可以毫無(wú)問(wèn)題地進(jìn)行高精度的非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）
。由于使用上下測(cè)量噴嘴進(jìn)行測(cè)量，因此
　 　可以精que地測(cè)量“厚度"，而不受測(cè)量對(duì)象“打滑"引起的提升的影響。
　?。ㄒ部梢赃x擇“滑行"測(cè)量（* 1））
6。由于操作簡(jiǎn)便，因此可以非常輕松地進(jìn)行測(cè)量和校準(zhǔn)（* 2）。

<測(cè)量原理>

精que控制上下測(cè)量噴嘴的背壓，對(duì)噴嘴進(jìn)行定位，使噴嘴和被測(cè)物體之間的間隙保持恒定，并使用預(yù)先用基準(zhǔn)量規(guī)校準(zhǔn)的值進(jìn)行比較計(jì)算處理。對(duì)被測(cè)物進(jìn)行測(cè)量操作，可以精que計(jì)算出厚度。

日本sasaki koki半導(dǎo)體硅晶片用測(cè)厚儀OZUMA22

<性能>

　　分辨率0.1μm
　　重復(fù)精度10次重復(fù)測(cè)量時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差（1σ）0.3μm以下
　　最大測(cè)量范圍 10mm（* 3）
　　供應(yīng)能源電源AC100V 50 / 60Hz 3A
　　　　　　　　　　　 清潔空氣0.4MPa 20NL /分鐘（* 4）